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2SA1955FVATPL3Z

2SA1955FVATPL3Z

참조 용

부품 번호 2SA1955FVATPL3Z
PNEDA 부품 번호 2SA1955FVATPL3Z
설명 TRANS PNP 12V 0.4A VESM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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2SA1955FVATPL3Z 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1955FVATPL3Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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  • 2SA1955FVATPL3Z Distributor

2SA1955FVATPL3Z 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 10mA, 2V
전력-최대100mW
주파수-전환130MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지CST3

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

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180V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 12V

전력-최대

200mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

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Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

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전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

300mW

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