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2N6107G

2N6107G

참조 용

부품 번호 2N6107G
PNEDA 부품 번호 2N6107G
제조업체 ON Semiconductor
설명 TRANS PNP 70V 7A TO220AB
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 15,191
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
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보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N6107G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
Mfr. 부품 번호2N6107G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2N6107G, 2N6107G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 246.38 KB)
PDF2N6288 데이터 시트 표지
2N6288 데이터 시트 페이지 2 2N6288 데이터 시트 페이지 3 2N6288 데이터 시트 페이지 4 2N6288 데이터 시트 페이지 5 2N6288 데이터 시트 페이지 6

2N6107G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic3.5V @ 3A, 7A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 2A, 4V
전력-최대40W
주파수-전환10MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

45MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

ZTX558STZ

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 6mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

BC817-25 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

BC 808-40W E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

250mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

KSC2001OBU

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

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