2N6027RLRA
참조 용
| 부품 번호 | 2N6027RLRA |
| PNEDA 부품 번호 | 2N6027RLRA |
| 설명 | THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,208 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N6027RLRA 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N6027RLRA |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction |
| 데이터 시트 |
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2N6027RLRA 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 전압 | 40V |
| 전력 손실 (최대) | 300mW |
| 전압-출력 | 11V |
| 전압-오프셋 (Vt) | 1.6V |
| 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) | 10nA |
| 현재-계곡 (Iv) | 50µA |
| 전류-피크 | 2µA |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 167mW 전압-출력 6V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 167mW 전압-출력 6V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 50µA 전류-피크 2µA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
