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2N5192R

2N5192R

참조 용

부품 번호 2N5192R
PNEDA 부품 번호 2N5192R
설명 TRANS NPN 80V 4A TO126
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N5192R 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5192R
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2N5192R 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.4V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 1.5A, 2V
전력-최대40W
주파수-전환2MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지TO-126

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

전력-최대

100mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

125V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

900mV @ 10A, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

300W

주파수-전환

-

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3

BUL742C

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 800mA, 3V

전력-최대

70W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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