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2N5152L

2N5152L

참조 용

부품 번호 2N5152L
PNEDA 부품 번호 2N5152L
설명 NPN SILICON TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,536
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N5152L 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5152L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • 2N5152L Distributor

2N5152L 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

220mV @ 50mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BUJ103AD,118

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제조업체

WeEn Semiconductors

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

13 @ 500mA, 5V

전력-최대

80W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

BC33716TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

JANTXV2N6547

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/525

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

5V @ 3A, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

12 @ 5A, 2V

전력-최대

175W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-204AA (TO-3)

ZTX557STOA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

75MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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