2N5115
참조 용
| 부품 번호 | 2N5115 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 2N5115 | ||||||||||||||||||
| 설명 | P CHANNEL JFET | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 987 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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2N5115 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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2N5115 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500 |
| FET 유형 | P-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 30V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 60mA @ 15V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 6V @ 1nA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 25pF @ 15V |
| 저항-RDS (켜짐) | 100 Ohms |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-18 (TO-206AA) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 35V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 50 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 3V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 25pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) 100 Ohms 전력-최대 500mW 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 50 Ohms 전력-최대 360mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 4-SMD |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 350mW 작동 온도 -65°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 35V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 100 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
