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2N5114

2N5114

참조 용

부품 번호 2N5114
PNEDA 부품 번호 2N5114_243
설명 JFET P-CH 30V TO-206AA
제조업체 Vishay Siliconix
단가
1 ---------- $31.1968
100 ---------- $29.7344
250 ---------- $28.2721
500 ---------- $26.8098
750 ---------- $25.5911
1,000 ---------- $24.3725
재고 있음 67
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2N5114 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5114
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • Vishay Siliconix Distributor
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  • 2N5114 Distributor

2N5114 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형-
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-206AA (TO-18)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 4nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

25 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18 (TO-206AA)

PN4092_J18Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

CMPF5485 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

30mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Siliconix

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전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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