2N5109
참조 용
| 부품 번호 | 2N5109 |
| PNEDA 부품 번호 | 2N5109 |
| 설명 | RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 25,038 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 5 - 7월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N5109 리소스
| 브랜드 | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5109 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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2N5109 사양
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 20V |
| 주파수-전환 | 1.2GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 3dB @ 200MHz |
| 이득 | - |
| 전력-최대 | 1W |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 15V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 400mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-39 |
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제조업체 MICROSS/On Semiconductor 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 5.8V 주파수-전환 22GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz 이득 12.5dB ~ 26.5dB 전력-최대 230mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 90 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대) 70mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 PG-SOT343-4 |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 5 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 3.5dB @ 100MHz 이득 27dB ~ 30dB 전력-최대 85mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대) 20mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
