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2N5012

2N5012

참조 용

부품 번호 2N5012
PNEDA 부품 번호 2N5012
설명 NPN SILICON TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
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재고 있음 5,076
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N5012 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5012
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2N5012 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 25mA, 10V
전력-최대1W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-5

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 5A, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 4V

전력-최대

3.5W

주파수-전환

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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Toshiba Semiconductor and Storage

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

전력-최대

800mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

BSP52,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

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2SB1243TV2Q

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 3V

전력-최대

1W

주파수-전환

70MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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