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2N4393-E3

2N4393-E3

참조 용

부품 번호 2N4393-E3
PNEDA 부품 번호 2N4393-E3
설명 MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
제조업체 Vishay Siliconix
단가
1 ---------- $3.3695
250 ---------- $3.2115
500 ---------- $3.0536
1,000 ---------- $2.8956
2,500 ---------- $2.7640
5,000 ---------- $2.6324
재고 있음 2,994
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2N4393-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4393-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N4393-E3, 2N4393-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 59.98 KB)
PDF2N4393-E3 데이터 시트 표지
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  • Vishay Siliconix Distributor
  • 2N4393-E3 Price
  • 2N4393-E3 Distributor

2N4393-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)40V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐)100 Ohms
전력-최대1.8W
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-206AA (TO-18)

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전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.5V @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

900µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

16mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

30mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6.5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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2SK1070PIETR-E

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

22V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

0V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

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