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2N4119A

2N4119A

참조 용

부품 번호 2N4119A
PNEDA 부품 번호 2N4119A
제조업체 Vishay Siliconix
설명 MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
단가
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
재고 있음 225
창고 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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보증 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N4119A 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
Mfr. 부품 번호2N4119A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N4119A, 2N4119A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 68.78 KB)
PDFSST4119-T1-E3 데이터 시트 표지
SST4119-T1-E3 데이터 시트 페이지 2 SST4119-T1-E3 데이터 시트 페이지 3 SST4119-T1-E3 데이터 시트 페이지 4 SST4119-T1-E3 데이터 시트 페이지 5 SST4119-T1-E3 데이터 시트 페이지 6

2N4119A 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)40V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)200µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-206AF (TO-72)

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

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-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SC-70 (SOT323)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

750mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 135°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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-

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2 N-Channel (Dual)

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

600µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

20mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.5V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

300 Ohms

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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7mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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125 Ohms

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