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1SV310TPH3F

1SV310TPH3F

참조 용

부품 번호 1SV310TPH3F
PNEDA 부품 번호 1SV310TPH3F
설명 DIODE VARACTOR 10V USC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 2,592
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1SV310TPH3F 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SV310TPH3F
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드

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  • 1SV310TPH3F Distributor

1SV310TPH3F 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F5.45pF @ 4V, 1MHz
커패시턴스 비율2.1
커패시턴스 비율 조건C1/C4
전압-피크 역방향 (최대)10V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F-
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지USC

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커패시턴스 @ Vr, F

24.2pF @ 2V, 1MHz

커패시턴스 비율

6.5

커패시턴스 비율 조건

C2/C20

전압-피크 역방향 (최대)

25V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

200 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

BB639E7904HTSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.9pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

14.7

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

PG-SOD323-2

1SV229TPH3F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

6.5pF @ 10V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.5

커패시턴스 비율 조건

C2/C10

전압-피크 역방향 (최대)

15V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

USC

SMV1206-079LF

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제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.6pF @ 20V, 1MHz

커패시턴스 비율

4.45

커패시턴스 비율 조건

C3/C20

전압-피크 역방향 (최대)

22V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

400 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SC-79

BB555H7902XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.3pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

9.8

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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