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1N968B_T50R

1N968B_T50R

참조 용

부품 번호 1N968B_T50R
PNEDA 부품 번호 1N968B_T50R
설명 DIODE ZENER 20V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,730
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예상 배송 7월 13 - 7월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N968B_T50R 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N968B_T50R
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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1N968B_T50R 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)20V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)25 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 15.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 20.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

CDLL5956B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.2 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 152V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

JANTX1N4977DUS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±1%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

42 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 47.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

E-MELF

공급자 장치 패키지

D-5B

1N5943PE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±20%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

86 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 42.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

CZRSC55C2V4-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

85 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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