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1N5952C G

1N5952C G

참조 용

부품 번호 1N5952C G
PNEDA 부품 번호 1N5952C-G
설명 DIODE ZENER 130V 1.25W DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,466
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5952C G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5952C G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5952C G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)130V
공차±2%
전력-최대1.25W
임피던스 (최대) (Zzt)450 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 98.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±2%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

1N4480

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±4.88%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 34.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

1N6020B TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

240 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 52V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4754APE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 29.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5274 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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