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1N5830

1N5830

참조 용

부품 번호 1N5830
PNEDA 부품 번호 1N5830
설명 DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가
1 ---------- $133.3181
50 ---------- $127.0689
100 ---------- $120.8196
200 ---------- $114.5703
400 ---------- $109.3625
500 ---------- $104.1548
재고 있음 149
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1N5830 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5830
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N5830, 1N5830 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 766.63 KB)
PDF1N5831R 데이터 시트 표지
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  • 1N5830 Distributor

1N5830 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)25V
전류-평균 정류 (Io)25A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If580mV @ 25A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr2mA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

1N3611E3

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

A, Axial

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR130T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 700mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

BYG23T-M3/TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1300V

전류-평균 정류 (Io)

1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1300V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-2EMH01HM3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

SMA (DO-214AC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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