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1N5711

1N5711

참조 용

부품 번호 1N5711
PNEDA 부품 번호 1N5711_8B
설명 RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $0.1417
500 ---------- $0.1351
1,000 ---------- $0.1284
2,500 ---------- $0.1218
5,000 ---------- $0.1162
10,000 ---------- $0.1107
재고 있음 40,945
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1N5711 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5711
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
1N5711, 1N5711 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 42.05 KB)
PDF1N5711 데이터 시트 표지
1N5711 데이터 시트 페이지 2 1N5711 데이터 시트 페이지 3

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  • 1N5711 Distributor

1N5711 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
다이오드 유형Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대)70V
현재-최대15mA
커패시턴스 @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)430mW
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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현재-최대

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커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 1GHz

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전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.5pF @ 15V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

225mW

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SOT-23-3 (TO-236)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

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SC-76, SOD-323

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SOD-323

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