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1N5529B (DO35)

1N5529B (DO35)

참조 용

부품 번호 1N5529B (DO35)
PNEDA 부품 번호 1N5529B-DO35
설명 DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 29 - 7월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5529B (DO35) 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5529B (DO35)
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5529B (DO35) 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)45 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 8.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 30V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

PZU6.2B2L,315

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±2%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

DFN1006-2

BZG03C24-M3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG03C-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5.83%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 18V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

2EZ10D5E3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 7.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

38 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 27.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMBJ (DO-214AA)

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