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1N5364AE3/TR8

1N5364AE3/TR8

참조 용

부품 번호 1N5364AE3/TR8
PNEDA 부품 번호 1N5364AE3-TR8
설명 DIODE ZENER 33V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,106
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5364AE3/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5364AE3/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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  • 1N5364AE3/TR8 Distributor

1N5364AE3/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)33V
공차±10%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 23.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

75µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

3 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

1PMT4113C/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

19V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 14.44V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

JANTX1N6317D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

14 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

CDLL5531

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±20%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

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