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1N5349BE3

1N5349BE3

참조 용

부품 번호 1N5349BE3
PNEDA 부품 번호 1N5349BE3
설명 DIODE ZENER 12V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5349BE3 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5349BE3
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5349BE3, 1N5349BE3 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
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  • 1N5349BE3 Distributor

1N5349BE3 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)12V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)2.5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 8.6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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43V

공차

±5%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

93 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 33V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MMSZ5235B-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1N5942P/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±20%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

SMAJ5929AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±10%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMAJ)

1N5358A/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 15.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

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