1N5260B-TAP
참조 용
| 부품 번호 | 1N5260B-TAP | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 1N5260B-TAP | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE ZENER 3A 43V DO35 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 34,026 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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1N5260B-TAP 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N5260B-TAP |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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1N5260B-TAP 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 43V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 93 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100nA @ 33V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 3.3V 공차 ±5% 전력-최대 125mW 임피던스 (최대) (Zzt) 95 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 0402 (1006 Metric) 공급자 장치 패키지 0402/SOD-923F |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 전압-제너 (Nom) (Vz) - 공차 - 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 ±3% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 12 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 40nA @ 9V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123F 공급자 장치 패키지 SOD-123F |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 19.11V 공차 ±3% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 28 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 200nA @ 15V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AC 공급자 장치 패키지 DO-219AC (microSMF) |
