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1N4750A G

1N4750A G

참조 용

부품 번호 1N4750A G
PNEDA 부품 번호 1N4750A-G
설명 DIODE ZENER 27V 1W DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,898
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4750A G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4750A G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4750A G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)27V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)35 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 20.6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

PDZ2.7BZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.91V

공차

±2%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

1PMT4122E3/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 27.38V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

1N4745A G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

16 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

SMBJ5925A/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±10%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

4.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMBJ (DO-214AA)

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