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1N4735A TR

1N4735A TR

참조 용

부품 번호 1N4735A TR
PNEDA 부품 번호 1N4735A-TR_105
설명 DIODE ZENER 6.2V 1W DO41
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 6,210
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4735A TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4735A TR
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N4735A TR, 1N4735A TR 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 579.26 KB)
PDF1N4730A BK 데이터 시트 표지
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1N4735A TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.2V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)2 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 3V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

65 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 62.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 27.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

E-MELF

공급자 장치 패키지

D-5B

1N5954C G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

160V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

700 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 121.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

MTZJT-7215B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

BZG05C62TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

-

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 47V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

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