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1N4706 TR

1N4706 TR

참조 용

부품 번호 1N4706 TR
PNEDA 부품 번호 1N4706-TR
설명 DIODE ZENER 19V 500MW DO35
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 4,590
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4706 TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4706 TR
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N4706 TR, 1N4706 TR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 736.94 KB)
PDF1N4716 BK 데이터 시트 표지
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1N4706 TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)19V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 14.4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 100mA
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 800mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005/SOD-323F

1PMT4118/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 20.45V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

1N5355BG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

BZT52C22SQ-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BZG05C9V1-HE3-TR

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 6.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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