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1N4448TAP

1N4448TAP

참조 용

부품 번호 1N4448TAP
PNEDA 부품 번호 1N4448TAP
설명 DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 93,324
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4448TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4448TAP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N4448TAP, 1N4448TAP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 80.55 KB)
PDF1N4448TAP 데이터 시트 표지
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  • 1N4448TAP Price
  • 1N4448TAP Distributor

1N4448TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)75V
전류-평균 정류 (Io)150mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If720mV @ 5mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)8ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35
작동 온도-접합175°C (Max)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10V

전류-평균 정류 (Io)

3A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 8V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

PG-SOD323-2

작동 온도-접합

150°C (Max)

IRD3CH24DD6

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

RK 46

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

3.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 3.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

JANTX1N6642UBCA

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/578

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

300mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

3-UB (3.09x2.45)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

ESH2PBHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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