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1N1188R

1N1188R

참조 용

부품 번호 1N1188R
PNEDA 부품 번호 1N1188R
설명 DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,694
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N1188R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N1188R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N1188R, 1N1188R 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 763.92 KB)
PDF1N1189R 데이터 시트 표지
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  • 1N1188R Distributor

1N1188R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)35A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 35A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5
작동 온도-접합-65°C ~ 190°C

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

VB20120S-E3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.12V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 120V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

VS-20ETS16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 20A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

LSM130G/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

CSIC10-1200 SL

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

41pF @ 600V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-220-2

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