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BZX84C5V6TS-7-F
BZX84C5V6TS-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 3 Independent
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 5.6V
  • 공차: ±6%
  • 전력-최대: 200mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 40 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 2V
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음7,799
DZ23C36-7-F
DZ23C36-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 36V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 36V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 90 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음9,408
DZ23C3V9-7-F
DZ23C3V9-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 3.9V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 95 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음2,037
DZ23C3V0-7-F
DZ23C3V0-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 3V 300MW SOT23

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 3V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 95 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음2
DZ23C39-7-F
DZ23C39-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 39V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 39V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 90 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음11,554
DZ23C7V5-7-F
DZ23C7V5-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 7.5V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 7.5V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음124,346
DZ23C9V1-7-F
DZ23C9V1-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 9.1V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 10 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음1,789
MMBZ5245BTS-7-F
MMBZ5245BTS-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 15V SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 구성: 3 Independent
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 15V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 200mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 16 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 11V
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음165,135
QZX363C20-7-F
QZX363C20-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 20V SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 2 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 20V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 200mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 55 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 14V
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음4,428
AZ23C10W-7-F
AZ23C10W-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 10V SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 10V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 200mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 15 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 200nA @ 7V
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음3,473
BZX84C7V5S-7-F
BZX84C7V5S-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 7.5V SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 7.5V
  • 공차: ±6%
  • 전력-최대: 200mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 15 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 5V
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음19,396
DZ23C18-7-F
DZ23C18-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 18V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 18V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 50 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음5,563
EMZ6.8NTL
EMZ6.8NTL

Rohm Semiconductor

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 6.8V EMD3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 6.8V
  • 공차: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 40 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 3.5V
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: EMD3
재고 있음1,135
FTZ5.6ET148
FTZ5.6ET148

Rohm Semiconductor

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMD5

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 구성: 2 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 5.6V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 200mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 2.5V
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
  • 공급자 장치 패키지: SMD5
재고 있음1,650
EMZT6.8ET2R
EMZT6.8ET2R

Rohm Semiconductor

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 6.8V EMD5

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 구성: 2 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 6.8V
  • 공차: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-553
  • 공급자 장치 패키지: EMD5
재고 있음385
DZ23C4V3-7-F
DZ23C4V3-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 4.3V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 95 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음1
BZX84C12S-7-F
BZX84C12S-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 12V SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 12V
  • 공차: ±6%
  • 전력-최대: 200mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 25 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 8V
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음1,641
AZ23C11-7-F
AZ23C11-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 11V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 11V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 20 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음1
BZX84C5V1S-7-F
BZX84C5V1S-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 5.1V
  • 공차: ±6%
  • 전력-최대: 200mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 2V
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음5,778
AZ23C4V3-7-F
AZ23C4V3-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 4.3V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 95 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음546
AZ23C8V2-7-F
AZ23C8V2-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 8.2V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음6
AZ23C5V1-TP
AZ23C5V1-TP

Micro Commercial Co

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT23

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 5.1V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
견적 요청
AZ23C3V6-7-F
AZ23C3V6-7-F

Diodes Incorporated

제너 다이오드-어레이

DIODE ZENER ARRAY 3.6V SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 구성: 1 Pair Common Anode
  • 전압-제너 (Nom) (Vz): 3.6V
  • 공차: ±5%
  • 전력-최대: 300mW
  • 임피던스 (최대) (Zzt): 95 Ohms
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: -
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음48,690
MMUN2216LT1
MMUN2216LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 246mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
재고 있음26,518
AO6601L
AO6601L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET P-CH 30V 6TSOP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta), 2.3A (Ta)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 390pF @ 15V, 409pF @ 15V
  • 전력-최대: 1.15W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSOP
재고 있음2,716
AO4840L
AO4840L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL 40V 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 404pF @ 20V
  • 전력-최대: 2W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음83,126
FDMB3900N
FDMB3900N

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

INTEGRATED CIRCUIT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • FET 기능: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,958
AUIRF7379Q
AUIRF7379Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: HEXFET®
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A, 4.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 25V
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음51,499
SI4539ADY-T1-GE3
SI4539ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3.7A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 1.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음34,649
IRF7754TRPBF
IRF7754TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: HEXFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V
  • 전력-최대: 1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음4