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FDMC510P-F106 데이터 시트

FDMC510P-F106 데이터 시트
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ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: FDMC510P-F106, FDMC510P
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FDMC510P-F106

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

116nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7860pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

FDMC510P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

116nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7860pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-MLP (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN