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SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB

참조 용

부품 번호 SP8M3FU6TB
PNEDA 부품 번호 SP8M3FU6TB
설명 MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 22 - 7월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SP8M3FU6TB 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SP8M3FU6TB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SP8M3FU6TB, SP8M3FU6TB 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 107.94 KB)
PDFSP8M3FU6TB 데이터 시트 표지
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  • SP8M3FU6TB Distributor

SP8M3FU6TB 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds230pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 40V, 1100pF @ 40V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

EM6K34T2CR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 0.9V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

26pF @ 10V

전력-최대

120mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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-

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.05V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

143pF @ 10V

전력-최대

920mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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145mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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SOT-563, SOT-666

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