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R1RP0408DGE-2LR#B0

R1RP0408DGE-2LR#B0

참조 용

부품 번호 R1RP0408DGE-2LR#B0
PNEDA 부품 번호 R1RP0408DGE-2LR-B0
설명 IC SRAM 4M FAST 36-SOJ
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 4,572
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

R1RP0408DGE-2LR#B0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R1RP0408DGE-2LR#B0
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
R1RP0408DGE-2LR#B0, R1RP0408DGE-2LR#B0 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 134.73 KB)
PDFR1RP0408DGE-2PR#B0 데이터 시트 표지
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R1RP0408DGE-2LR#B0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지36-SOJ

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (6.4x10.1)

M24C64-DRMN3TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AT27C040-90PU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

BR24G64NUX-3TTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

VSON008X2030

25AA160CT-I/MNY

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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