MRF6S19120HR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF6S19120HR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6S19120HR3 |
| 설명 | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,390 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6S19120HR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6S19120HR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6S19120HR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.99GHz |
| 이득 | 15dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1A |
| 전원-출력 | 19W |
| 전압-정격 | 68V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-957A |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780H-2L |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.88GHz 이득 16.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 1µA 소음 수치 - 현재-테스트 750mA 전원-출력 100W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지 PG-64248-2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.88GHz 이득 15.2dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.1A 전원-출력 63W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230S 공급자 장치 패키지 NI-1230S |
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제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.17GHz 이득 18.1dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.85A 전원-출력 55W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지 H-34288-4/2 |
