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MRF553GT

MRF553GT

참조 용

부품 번호 MRF553GT
PNEDA 부품 번호 MRF553GT
설명 RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF553GT 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF553GT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MRF553GT, MRF553GT 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 140.33 KB)
PDFMRF553T 데이터 시트 표지
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MRF553GT 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)16V
주파수-전환175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득11.5dB
전력-최대3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Power Macro
공급자 장치 패키지Power Macro

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

30GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

이득

21.5dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

MS1051

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

18V

주파수-전환

30MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

11dB ~ 13dB

전력-최대

290W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 5mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M174

공급자 장치 패키지

M174

MS1003

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

18V

주파수-전환

136MHz ~ 175MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

6dB

전력-최대

270W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

M111

공급자 장치 패키지

M111

2N5770_D74Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

이득

15dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

1014-6A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

주파수-전환

1GHz ~ 1.4GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

7dB ~ 7.5dB

전력-최대

19W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55LV

공급자 장치 패키지

55LV

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