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MJD6039T4

MJD6039T4

참조 용

부품 번호 MJD6039T4
PNEDA 부품 번호 MJD6039T4
설명 TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,588
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJD6039T4 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJD6039T4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJD6039T4, MJD6039T4 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 182.33 KB)
PDFMJD6039T4 데이터 시트 표지
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MJD6039T4 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 8mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce500 @ 2A, 4V
전력-최대1.75W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

260MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

ZX5T851ASTZ

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

210mV @ 200mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

전력-최대

1W

주파수-전환

130MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

MPSA63RLRMG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PMBS3906,235

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

250mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

2SB1218GSL

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

290 @ 2mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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