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MCP14A0901T-E/SN

MCP14A0901T-E/SN

참조 용

부품 번호 MCP14A0901T-E/SN
PNEDA 부품 번호 MCP14A0901T-E-SN
설명 9.0A SINGLE INV MOSFET DRIVER
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 22 - 7월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MCP14A0901T-E/SN 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCP14A0901T-E/SN
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MCP14A0901T-E/SN, MCP14A0901T-E/SN 데이터 시트 (총 페이지: 30, 크기: 1,005.68 KB)
PDFMCP14A0902-E/MS 데이터 시트 표지
MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 2 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 3 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 4 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 5 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 6 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 7 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 8 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 9 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 10 MCP14A0902-E/MS 데이터 시트 페이지 11

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  • MCP14A0901T-E/SN Distributor

MCP14A0901T-E/SN 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)9A, 9A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)22ns, 22ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

11.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

24ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

24-SSOP

UCC27222PWPG4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.7V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

17ns, 17ns

작동 온도

-55°C ~ 115°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

14-HTSSOP

VLA553-01R

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.2V ~ 15.8V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

24A, 24A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-25°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

OctaPAK 7+1

HIP4083AB

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

3

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

95V

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

NCP1392DDR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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