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JANTXV1N5531DUR-1

JANTXV1N5531DUR-1

참조 용

부품 번호 JANTXV1N5531DUR-1
PNEDA 부품 번호 JANTXV1N5531DUR-1
설명 DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,586
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 22 - 7월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV1N5531DUR-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV1N5531DUR-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JANTXV1N5531DUR-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/437
전압-제너 (Nom) (Vz)11V
공차±1%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 9.9V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AA

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3.3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N6485

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1PMT5952BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 98.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

BZD27C180PHRQG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

179.5V

공차

±6.4%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 130V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

BZD17C12P RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5.41%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

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