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IXGP30N60B2

IXGP30N60B2

참조 용

부품 번호 IXGP30N60B2
PNEDA 부품 번호 IXGP30N60B2
설명 IGBT 600V 70A 190W TO220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,418
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGP30N60B2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGP30N60B2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGP30N60B2, IXGP30N60B2 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 548.79 KB)
PDFIXGP30N60B2 데이터 시트 표지
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IXGP30N60B2 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 24A
전력-최대190W
에너지 전환320µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지66nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/110ns
테스트 조건400V, 24A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

190W

에너지 전환

2.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/150ns

테스트 조건

960V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRGB15B60KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

62A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

208W

에너지 전환

220µJ (on), 340µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

56nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/184ns

테스트 조건

400V, 15A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

92ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

SGS5N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 5A

전력-최대

35W

에너지 전환

88µJ (on), 107µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

16nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/34ns

테스트 조건

300V, 5A, 40Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

FGA6530WDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

전력-최대

176W

에너지 전환

960µJ (on), 162µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37.4nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/42.4ns

테스트 조건

400V, 30A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

81ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

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