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FDPC8011S

FDPC8011S

참조 용

부품 번호 FDPC8011S
PNEDA 부품 번호 FDPC8011S
설명 MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,046
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 22 - 7월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDPC8011S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDPC8011S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDPC8011S, FDPC8011S 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 681.55 KB)
PDFFDPC8011S 데이터 시트 표지
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FDPC8011S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A, 27A
Rds On (최대) @ Id, Vgs6mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs19nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1240pF @ 13V
전력-최대800mW, 900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지Powerclip-33

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

EPC2108

EPC

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V, 100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22pF @ 30V, 7pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-VFBGA

공급자 장치 패키지

9-BGA (1.35x1.35)

FDMA2002NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

123mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 15V

전력-최대

650mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MicroFET (2x2)

SI1034CX-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

610mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

396mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

43pF @ 10V

전력-최대

220mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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SIA915DJ-T4-GE3

Vishay Siliconix

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A (Ta), 4.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

87mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

275pF @ 15V

전력-최대

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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