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DMS3019SSD-13

DMS3019SSD-13

참조 용

부품 번호 DMS3019SSD-13
PNEDA 부품 번호 DMS3019SSD-13
설명 MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMS3019SSD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMS3019SSD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMS3019SSD-13, DMS3019SSD-13 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 376.14 KB)
PDFDMS3019SSD-13 데이터 시트 표지
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  • DMS3019SSD-13 Distributor

DMS3019SSD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A, 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs15mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs42nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1932pF @ 15V
전력-최대1.19W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V, 45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V

전력-최대

27W (Tc), 48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

TPC8211(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP (5.5x6.0)

APTSM120AM25CT3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

148A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

544nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10200pF @ 1000V

전력-최대

937W

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

SLA5059

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 2A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 10V

전력-최대

5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA, 775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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