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BAP70AM,135

BAP70AM,135

참조 용

부품 번호 BAP70AM,135
PNEDA 부품 번호 BAP70AM-135
설명 RF DIODE PIN 50V 300MW 6TSSOP
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $3.7896
250 ---------- $3.6119
500 ---------- $3.4343
1,000 ---------- $3.2567
2,500 ---------- $3.1086
5,000 ---------- $2.9606
재고 있음 61,720
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BAP70AM 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP70AM,135
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP70AM, BAP70AM 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 137.66 KB)
PDFBAP70AM 데이터 시트 표지
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BAP70AM 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - 2 Pair Series
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.25pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)300mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Broadcom Limited

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.26pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

14Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

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제조업체

Broadcom Limited

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

15mA

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

-

BAR 64-02LRH E6433

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

150V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 100MHz

저항 @ If, F

900mOhm @ 10mA, 200MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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